基于C语言和GEL语言的Flash编程新方法(转帖)
以TMS320VC5402为例，探讨一种综合运用C语言、数据文件及GEL语言的Flash编程新方法。
该方法完全采用C语言编写烧写程序，解决了指针不能访问高端Flash的问题;把引导表作成数据文件，可实现大引导表的分批次加载;通过GEL程序控制C程序执行，较好地体现了Flash编程的流程。
引言
在DSP应用系统开发的后期，一般需要将用户程序写进Flash等非易失性存储器，以便采用并行引导的方法实现用户程序的自举加载。这一步骤称为“烧写”;针对Flash的烧写又称为Flash编程。以往的编程方法大多采用汇编语言编写程序，可读性较差，并将引导表的制作也放在程序中实现;用户程序一变，烧写程序就得重新编写，不具有通用性。参考文献[1]采用C语言完成Flash读写，较清晰地体现了Flash编程的思想，但是它采用指针访问Flash空间，不能对高端Flash(64 K字存储空间以外)进行访问，且将引导表作成数组的方法仍显机械。
这里提出的Flash编程方法完全采用C语言编写烧写程序，运用函数地址访问高端Flash，借助数据文件将引导表加载到数据空间。GEL(General Extension Language,通用扩展语言)作为一种程序扩展语言，被广泛用于调试及程序运行环境的定制。这里将GEL语言运用于Flash编程，可以控制C程序在数据加载完成后执行烧写过程，从而实现大引导表的烧写。
1 DSP开发板及Flash存储器
笔者使用的DSP开发板上有1片TMS320VC5402通用DSP芯片、1片SST39VF400A存储芯片(Flash)、键盘和液晶显示器等。其中Flash容量为256 K字(1字=16位)，组织为128个扇区或8个块。为充分发挥Flash容量大的特点，本系统在硬件上将Flash空间的映射设计为：在上电自举过程中，Flash空间的0x04000～0x0FFFF映射到数据空间的0x4000～0xFFFF;上电自举完成后，整个Flash空间0x00000～0x3FFFF映射到程序空间的0x80000～0xBFFFF,即映射到了TMS320VC5402的扩展程序空间，处于高地址，因此称为“高端Flash”。由此可知，对系统进行应用开发时，Flash总是表现为高端Flash。
图1 Flash编程流程
2 Flash编程流程
用户程序一般以可执行COFF(公共目标文件格式)文件格式存在(后缀名为.out)，Flash编程所要完成的就是将此可执行文件转换成特定的ASCII码引导表的格式，并按此格式顺序写进Flash。Flash编程流程如图1所示。下面仅以一个动画显示程序qq.out为例，介绍如何将其烧写进Flash。
.1 生成引导表
通过Hex转换工具，将用户程序qq.o
相关文档：
第一步C#添加组件
打开VS2005-工具-选择工具箱项-COM组件-选择Shockwave Flash Object-确定
添加好组件往场景上拖放，如果提示注册需求注册
c# 注册控件-在运行输入-回车（flash9f.ocx这个文件以系统中实际文件为准。）
regsvr32 c:\windows\system32\macromed\flash\flash9f.ocx
或者regsvr32 c:\windows\system32\ma ......
在做ACM题时，经常都会遇到一些比较大的整数。而常用的内置整数类型常常显得太小了：其中long 和 int
范围是[-2^31,2^31)，即-2147483648~2147483647。而unsigned范围是[0,2^32)，即
0~4294967295。也就是说，常规的32位整数只能够处理40亿以下的数。
那遇到比40亿要大的数怎么办呢？这时就要用到C++的64位扩展 ......
用了三种方法...
#if 0
void StringTokenize(const std::string& strSrc, const std::string& strDelimit, std::vector<std::string>& vecSub)
{
if (strSrc.empty() || strDelimit.empty())
{
throw "tokenize: empty string\n";
......
来源：http://www.laogu.com/wz_687.htm
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后 ......
