2440+NAND Flash（K9F1208UOM）总结 收藏
2440+NAND Flash（K9F1208UOM）总结 收藏
2440+NAND Flash（K9F1208UOM）总结：
1. 以Page为单位读写，此Flash为Small Page Flash，即每页为528Byte（512 Byte +16 Byte）
2. 以Block为单位擦除，每个Block为（16K+512）Byte即为32 Page
3. 整个Flash分为Main area（数据存储）和Spare area（坏块标记、ECC等数据）
4. Spare area中的坏块标记为第6字节，此为三星推荐值，还是用此值比较好，因为Flash出厂时若有坏块，三星应该也是在此位作标记。
5. ECC校验是硬件实现的，我们要做的就是在第一次写Flash时从寄存器NFMECC0中读取ECC码，然后将其写入Spare area中的相应位（可以自己定义，只要不是第6位）。在读Flash时，再读寄存器NFMECC0获得此次读取的数据的ECC码和原来存在Flash中的ECC码对比，若相同则证明读取数据正确，不对再进行其它操作。
6. 为了支持从NAND Flash启动，2440内部集成一SRAM buffer即Steppingstone。复位时，NAND Flash前4kByte代码自动拷到Steppingstone中，并执行。这部分代码为Nboot一般进行硬件初始化并将Eboot从NAND Flash拷到SDRAM中，即完成使命。接着就是Eboot进行内核的加载。
7. NAND Flash分布（我的例子）：
Block0——Nboot
Block1-7——Eboot
Block8-9——Reserved
Block10——MBR（在最后一个Sector）
Block11-X——Wince系统内核及其它
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