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Nor Flash与Nand flash的不同之处在于Nor Flash的地址和数据线是不共用的，所以Nor Flash比较象ROM,是可以按地址自由读的，这样就非常适合存储代码，在开机时从Nor Flash中取代码来执行。在我的板子上有16M的Intel的Nor Flash E28F128J3A150，以此为例来研究一下Nor Flash的一些常用操作。E28F128J3A150每个sector是128k，擦除是按扇区操作了。
首先来看下E28F128J3A150与s3c2410的接口吧。
一般情况下ROM与s3c2410的接口我们可以在s3c2410的手册上看到，如下图所示
仔细看下16位和8位数据接口在地址线连接上的区别吧，16位的地址线是要移位的，A1接到A0上，这当然是比较容易理解的，位宽大了一倍，地址就少了一条。对于E28F128J3A150其实也是这样，不过又有点不一样，仔细看看E28F128J3A150的手册吧。下面给出接线图。
不同之处E28F128J3A150貌似并没有移位，其实只是因为E28F128J3A150的A1就相对于别的16位ROM的A0，其A0就相当于他们的A(-1)是用来指示8位地址的，所以还是一样的。
来看看Flash操作的命令集吧
以几个比较重要的操作来说明比较容易懂
首先就是Read Identifier Codes
先给定我们的flash开始的地址吧，flash_addr=ioremap(0x0,0x1000000);
物理地址从0x0开始的0x1000000（16M）地址空间，这样得到了可访问的虚拟地址flash_addr
很简单，看命令表,先写一个命令 writew(0x90,flash_addr);
然后把Manufacture Code读回来 readw(flash_addr)；
接着再读Device Code readw(flash_addr+2);
细节部分还是参考手册吧
其实内核已经MTD驱动完全支持Nor Flash的操作，所以不必要自己再写了。
不过在JTAG烧写flash的程序中可以加入对我们自己的flash的支持。
来看看其中对E28F128J3A150的烧写代码，分析一下。
int Strata_CheckID(int targetAddr) //返回Manufacture Code
{
_WR(targetAddr, 0x0090);
return _RD(targetAddr); &n
[FLASH]
as3.0相对于as2.0的页面数据不同的传递方式
大家都知道flash提供了一个很好的FlashVars参数，就是通过他可以传递参数给flash，然后flash在进行操作，
具体用法是:<param name="FlashVars" value="p1=value" />
这样就直接可以再flash里调用 p1 这个参数的值 value 了；
as2.0里� ......
