对Nand flash读操作的分析（转）
前几天大致分析了u-boot针对smdk2410的源码，了解了启动的流程，但是对板上许多硬件的驱动过程还不太清楚。smdk2410源码中有针对Nor Flash的初始化和读取，但源码中没有对Nand Flash的操作，虽然针对其他型号的板子应该有Nand的源码，但方便起见，我查阅了vivi的源码，它支持从Nand Flash启动，自然有我需要的东西。下面我就自己的分析和总结列出来，中间当然也从google上得到不少前人留下的宝贵资料:）。
我先摘录一段对Nor和Nand flash区别的几条总结：
NOR flash采用位读写，因为它具有sram的接口，有足够的引脚来寻址，可以很容易的存取其内部的每一个字节。
NAND flash使用复杂的I/O口来串行地存取数据。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息（复用）。NAND的读和写单位为512Byte的页，擦写单位为32页的块。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
再来看看Nand flash自身的特点（部分摘自August0703的文章）：
Nand Flash的数据是以bit的方式保存在memory cell中，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。
多个line（多个位宽大小的数据）会再组成Page。我使用的Nand flash是三星的K9F1208U0M，从datesheet上得知，此flash每页528Bytes（512byte的Main Area + 16byte的Spare Area)，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB（Spaer Area）是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。
Nand flash以页（512Byte）为单位读写数据，而以块（16KB）为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：
● Colum
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