nor flash nand flash区别
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出 NOR
flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统
天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成
本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口
轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清
楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因
为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高
数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在 flash
闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除
速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也
很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要
特殊的系统接口。
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何
flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元
内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除
操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前
先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为 5s
，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进
行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于
给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，
更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必
须权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
●大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每
一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同
。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读和写操作采用5
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2. 输入
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3.
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<?xml version="1.0"?>
<!DOCTYPE fontconfig SYSTEM "fonts.dtd">
......
