NOR FLASH和NAND FLASH特点
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读
相关文档：
可以“按ESC 退出全屏模式”
FLASH 全屏有二类四种：
1、不用浏览器直接用FLASH播放器播放的类型：
A、不显示FLASH播放器菜单栏的全屏（类似屏保效果），在第一帧处的Actions用FS Command 命令，在For standalone player 选项中选择fullscreen 为true 即可。
&nbs ......
以下是我在网上找的一份关于解决这个问题的答案..但实验过后感觉不太可行!
___________________________________________________________________
说到这个问题，可能有人就会说，那还不简单，直接用flash的ActionScript中的url方法不就搞定了，那么
如果我们的UI人员设计完flash,但flash对应的链结还没有确定或者以后� ......
在wonderfl 网站当中，有很多创意的flash 程序，呈现的视角效果能够给予很高的启发性。今天，又要继续学习flash 技术，把在哪里看到的东西记录一下，这种位图应用可以变化出很多神奇的效果。一个像素可以当作一个微小的粒子处理，我们可以采用设置像素点位置的方式，对空白的位图数据进行设置点，这些点会分布在位图 ......
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的
时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM分为两类：一种是静态的RAM（SRAM），另外的一种是动态RAM（DRAM），二者的区别是SRAM的速度要比DRAM的速 ......
