NAND和NOR flash的区别
NOR 和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR 和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数 情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以6?～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
● NOR的读速度比NAND稍快一些。
● NAND的写入速度比NOR快很多。
● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
接口差别
NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
NAND读
相关文档：
在html文件中嵌入的代码如下:
<script type="text/javascript">
var xmlUrl="news.xml";
var swfURL="news.swf";
var img_Speed=2;
var page_Speed=3000;
var TextPosition="down";
var HeadlineColor="#ff0000";
var HeadlineFont="14px";
va ......
最近，博客的点击率上升的比较快，从过去的每周一两百，到现在的每周八九百，对这个每周八九百的点击，我也比较好奇，大家都在关心哪些话题呢？
通过文章管理界面查看了一下统计数字，几个热门资源贴子，如：Flash CS3 及注册码下载、闪客精灵最新版注册码，点击率较高，此外，大家对 Word流程� ......
对自己哪方面工作满意，有效的经验总结有哪些？
1） 客户端的完整事件
机制和消息分发机制的构建。
构建了比较稳定有效的事件和消息分发机制，目前的事件机制建立在AS3.0新的事件机制基础
之上，使用全局静态属性，并且传递的参数可以不限长度，不限类型的的进行添加，使服务器、 ......
欢迎大家来到这里，在这里，我要向大家宣告一件事情，我将会送给你们每一个人一朵玫瑰，请好好保管好它，因为它里面包含我的温暖。 我相信你会喜欢上！
......
