NAND FLASH和NOR FLASH详解
NAND FLASH和NOR FLASH详解
NOR FLASH和NAND FLASH是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。
INTEL于1988年首先开发出NOR FLASH技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
1989年，东芝公司发表了NAND FLASH结构，强调更低的成本，更高的性能，并且可以象磁盘一样通过接口轻松升级。
但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR FLASH和NAND FLASH。
NOR FLASH更适合用来存储少量的代码
“NAND FLASH存储器”经常可以与“NOR FLASH存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND FLASH技术相对于NOR
FLASH技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND
FLASH则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR FLASH的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In
Place)，这样应用程序可以直接在FLASH闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NOR FLASH的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND FLASH结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND
FLASH的困难在于FLASH的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较--NOR FLASH的读速度比NAND FLASH稍快一些
性能比较
FLASH闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何FLASH器件的写入操作只能在空或已擦除的单元
内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND
FLASH器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR FLASH器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND
FLASH器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR FLASH和NADN
FLASH之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR
FLASH的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
1).NOR FLASH的读速度比NAND FLASH稍快一些。
2).NAND FLASH的写入速度比NOR FLASH快很多。
3).NAND FLASH的4ms擦除速度远比NOR FLASH的5s快。
4).大多数写入操作需要先进行擦除操作。
5).NAND FLASH的擦
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