NAND Flash的寻址方式
这两天整理的,发出来和大家共享.
NAND Flash Addressing Mode
NAND Flash的寻址方式和NAND Flash的memory组织方式紧密相关。NAND Flash的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。
这些Line会再组成Page，通常是528Byte/page或者264Word/page。然后，每32个page形成一个Block，Sizeof(block)=16kByteBlock是NAND Flash中最大的操作单元，擦除就是按照block为单位完成的，而编程/读取是按照page为单位完成的。所以，按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：
-Block Address
-Page Address
-Column Address
首先，必须清楚一点，对于NAND Flash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度可以是8位或者16位，但是，对于x16的NAND Device，I/O[15:8]只用于传递数据。清楚了这一点，我们就可以开始分析NAND Flash的寻址方式了。->以528Byte/page 总容量512Mbit+512kbyte的NAND器件为例：
因为1 block=16kbyte，512Mbit=64Mbyte，Numberof(block)=1024
1block=32page, 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)
用户数据保存在main area中。512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1st half和2nd half,各自的访问由所谓的pointer operation命令来选择，也就是选择了bit8的高低。因此A8就是halfpage pointer（这是我给出的一个名字），A[7:0]就是所谓的column address。32个page需要5bit来表示，占用A[13:9]，即该page在块内的相对地址Block的地址是由A14以上的bit来表示，例如512Mb的NAND，共4096block，因此，需要12个bit来表示，即A[25:14]，如果是1Gbit的528byte/page的NAND Flash，则block address用A[26:24]表示。而page address就是blcok address│page address in block
NAND Flash的地址表示为：
Block Address│Page Address in block│halfpage pointer│Column Address
地址传送顺序是Column Address,Page Address,Block Address。
由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。
例如，对于512Mbit x8的NAND flash，地址范围是0~0x3FF_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。
以NAND_ADDR为例：
第1步是传递column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上而
[FLASH]
as3.0相对于as2.0的页面数据不同的传递方式
大家都知道flash提供了一个很好的FlashVars参数，就是通过他可以传递参数给flash，然后flash在进行操作，
具体用法是:<param name="FlashVars" value="p1=value" />
这样就直接可以再flash里调用 p1 这个参数的值 value 了；
as2.0里� ......
NAND Flash 的数据是以bit 的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8 个或者16 个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device 的位宽。这些Line 会再组成Page.
(Nand Flash 有多种结构，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每 ......
