NOR FLASH和NAND FLASH特点
看
了一下开发板上的外围设备，对NOR和NAND flash的区别没有什么概念，看了这篇文章，有了一个大要的了解，我的板子上的是NOR
falsh和DRAM，到于DRAM是什么东西，和flash的区别，在另一篇文章中有说明，很基础的东西，了解一下很有好处。个人理解，NOR类型的
flash一般来相当于计算机的内存，不过是可以存储数据的，而NAND则相当于NOR型的flash则相当于硬盘，适合大量数据存储，我买板子时，销售
人员告诉我如果要做miniGUI之类的图形界面开发时，可能就需要扩展NAND flash,板子上有预留位置。
以下是关于NOR和NAND的flash的特点说明：
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR
flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND
flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR
和NAND闪存。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In
Place)
，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成
本效益，但是很低的写入和擦除速度
大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快
。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
性能比较
flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行
，所以大多数
情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新�
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